型号:IPG20N06S3L-35 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:8-PowerTDFN | 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 20A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 35 毫欧 @ 11A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.2V @ 15µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 23nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1730pF @ 25V |
功率_最大 | 30W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
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深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
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